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Begünstigt durch die starke Nachfrage im nachgelagerten Anwendungsmarkt befindet sich die Siliziumkarbid-Branche in einer Phase schnellen Wachstums.
Laut Prognose von TrendForce Consulting soll der Markt für SiC-Leistungskomponenten bis 2026 ein Volumen von 5,33 Milliarden US-Dollar erreichen; seine Mainstream-Anwendungen stützen sich weiterhin stark auf Elektrofahrzeuge und erneuerbare Energien.
In jüngster Zeit gab es neue Entwicklungen auf dem Siliziumkarbid-Markt, die große Aufmerksamkeit erregt haben und Unternehmen wie Mitsubishi Electric, Mersen und Core Guangdong Energy betreffen.
Mitsubishi Electric: Bau des SiC-Werks voraussichtlich im April
Berichten von Nikkei zufolge wird Mitsubishi Electric im April dieses Jahres mit dem Bau eines neuen 8-Zoll-SiC-Werks in der Präfektur Kumamoto (Japan) beginnen und plant, es im April 2026 in Betrieb zu nehmen.
Im März 2023 kündigte Mitsubishi Electric an, innerhalb von fünf Jahren rund 100 Milliarden Yen (entspricht etwa 4,856 Milliarden RMB) zu investieren, um ein 8-Zoll-SiC-Werk zu errichten und die damit verbundenen Produktionskapazitäten auszubauen. Die Inbetriebnahme des Werks ist für den April 2026 geplant.
Es ist bekannt, dass das neue Werk sechs Stockwerke umfasst und eine gesamte Baufläche von etwa 42.000 Quadratmetern hat. Es wird hauptsächlich für die Front-End-Prozesse von 8-Zoll-SiC-Wafern zuständig sein. Mitsubishi Electric wird im gesamten Prozessbereich automatische Transportsysteme einführen, um eine Produktionslinie mit hoher Effizienz zu schaffen, und beabsichtigt, die Kapazität schrittweise zu erhöhen, mit dem Ziel, die SiC-Produktionskapazität im Geschäftsjahr 2026 (im Vergleich zum Geschäftsjahr 2022) um das Fünffache zu steigern.
Im Mai 2023 unterzeichneten Mitsubishi Electric und Coherent eine Absichtserklärung. Coherent wird Mitsubishi Electric mit 8-Zoll-n-Typ-4HSiC-Substraten für das neue Werk beliefern. Beide Parteien sind bestrebt, den Produktionsumfang von 8-Zoll-SiC-Bauelementen auszuweiten.
Xin Yueneng: Beschleunigung des Kapazitätsaufbaus in Phase I des SiC-Chipfertigungsprojekts
Kürzlich erklärte Shao Yonghua, Direktor der Waferfabrik von Core Guangdong Energy, dass die gesamte Fabrik derzeit ihre Produktion ausbaut und bis Ende dieses Jahres die geplante jährliche Produktionskapazität von 240.000 kfz-tauglichen SiC-Chips im 6-Zoll-Format erreichen soll. Die reservierte 8-Zoll-Produktionslinie befindet sich direkt neben der 6-Zoll-Produktionslinie. Sobald sie fertiggestellt ist, wird sie in der Lage sein, jährlich 240.000 kfz-taugliche SiC-Chips im 8-Zoll-Format zu produzieren.
Nach früheren Nachrichten ist das Xinyue Energy Silicon Carbide (SiC)-Chipfertigungsprojekt ein Großprojekt des „Core Project“-Programms von Guangdong, mit einer Gesamtinvestition von 7,5 Milliarden Yuan, einer Fläche von 150 Mu, einer Investition in Phase I von 3,5 Milliarden Yuan und einer jährlichen Ausbeute von 240.000 Einheiten. In Phase II wird eine Produktionslinie für 6-Zoll-SiC-Chips errichtet, gefolgt von einer Linie zur Herstellung von 240.000 8-Zoll-SiC-Chips pro Jahr. Die Produkte umfassen IGBTs, SiC SBD/JBS, SiC MOSFETs und andere Leistungshalbleiterbauelemente, die hauptsächlich im Bereich neuer Energiefahrzeuge, Photovoltaik und intelligenter Stromnetze eingesetzt werden.
Im November 2022 wurde der staubfreie Reinraum des Projekts offiziell eröffnet. Die monatliche Produktionskapazität liegt nun bei 10.000 Stück. KFZ-taugliche und industrielle Chips wurden erfolgreich tape-out-fertig entwickelt, und Muster wurden versandt; die Zertifizierung nach KFZ-Standards steht kurz vor der Fertigstellung. Bisher hat Xinyueeng Tape-Out-Verträge mit mehr als 40 Kunden abgeschlossen, die die meisten SiC-Chip-Designunternehmen im ganzen Land abdecken.
Mersen baut SiC-Substratprojekt aus
Am 12. März kündigte Mersen, ein europäischer Lieferant von Graphitmaterialien und Siliziumkarbid-Substraten, an, dass das Unternehmen Investitionen von der französischen Regierung erhalten hat, die zur Erweiterung der Produktionskapazität des SiC-Substratprojekts verwendet werden. Die Höhe dieser Subvention könnte 12 Millionen Euro (ca. 94 Millionen RMB) übersteigen und stammt aus dem „France 2023 Plan“ – einem wichtigen europäischen Projekt von gemeinsamem Interesse im Bereich Mikroelektronik und Kommunikationstechnologie.
Mersen sagte, man plane, diese Mittel einzusetzen, um die Forschungs- und Entwicklungsphase sowie die industrielle Produktionsstufe von p-SiC-Substraten voranzutreiben. p-SiC ist ein polykristallines SiC-Substrat mit niedrigem Widerstand, das mit einkristallinen SiC-Aktivschichten kombiniert werden kann, um die Ausbeute und die Transistorleistung für SiC-Bauteilhersteller zu verbessern.
Mersen erwartet, zwischen 2023 und 2025 85 Millionen Euro (ca. 670 Millionen RMB) zu investieren, 80 bis 100 Mitarbeiter einzustellen, den Kapazitätsaufbau der Fabrik in Gennevilliers (Frankreich) voranzutreiben und bis 2027 eine potenzielle Produktionskapazität von 400.000 Stück Substraten (150 mm) zu erreichen.
Darüber hinaus wird Mersen Siliziumkarbid-Substrate an Soitec liefern. Im November 2021 gingen Mersen und Soitec eine strategische Partnerschaft ein. Mit ihrer jeweiligen Erfahrung in Substraten und Materialien sollen die ultra-niedrig widerstandsfähigen polykristallinen SiC-Substrate, die gemeinsam von beiden Parteien entwickelt wurden, in SiC-Leistungselektronikkomponenten eingesetzt werden, die mit Soitecs Smart SiC?-Technologie entworfen wurden.
Quelle: International Electronic Commerce, automatisch übersetzt von Google