Tăng tốc toàn cầu mở rộng năng lực sản xuất cacbua silicon
Nhờ nhu cầu mạnh mẽ từ thị trường ứng dụng hạ nguồn, ngành silicon carbide (SiC) đang trong giai đoạn tăng trưởng nhanh chóng.
Theo dự báo của TrendForce Consulting, quy mô thị trường linh kiện công suất SiC dự kiến đạt 5,33 tỷ USD vào năm 2026, và các ứng dụng chủ lực vẫn phụ thuộc nhiều vào xe điện và năng lượng tái tạo.
Gần đây, thị trường silicon carbide đã có những diễn biến mới thu hút sự chú ý lớn, liên quan đến các công ty như Mitsubishi Electric, Mersen và Core Guangdong Energy.
Nhà máy SiC của Mitsubishi Electric dự kiến khởi công xây dựng vào tháng 4
Theo báo cáo gần đây của Nikkei, Mitsubishi Electric sẽ bắt đầu xây dựng một nhà máy SiC thế hệ 8 inch mới tại tỉnh Kumamoto, Nhật Bản vào tháng 4 năm nay và dự kiến đưa vào hoạt động vào tháng 4 năm 2026.
Vào tháng 3 năm 2023, Mitsubishi Electric thông báo kế hoạch đầu tư khoảng 100 tỷ yen (tương đương khoảng 4,856 tỷ NDT) trong vòng năm năm để xây dựng nhà máy SiC 8 inch và tăng cường cơ sở sản xuất liên quan. Nhà máy dự kiến đi vào hoạt động vào tháng 4 năm 2026.
Được biết, nhà máy mới gồm sáu tầng với tổng diện tích xây dựng khoảng 42.000 mét vuông. Nhà máy sẽ chịu trách nhiệm chính cho quy trình phía trước của wafer SiC 8 inch. Mitsubishi Electric sẽ giới thiệu hệ thống vận chuyển tự động trong toàn bộ quy trình để tạo ra dây chuyền sản xuất có hiệu suất cao, đồng thời dự kiến tăng dần công suất sản xuất, nhằm mục tiêu tăng gấp năm lần công suất sản xuất SiC trong năm tài chính 2026 (so với năm tài chính 2022).
Vào tháng 5 năm 2023, Mitsubishi Electric và Coherent đã ký kết biên bản ghi nhớ. Coherent sẽ cung cấp đế nền 4HSiC loại n kích thước 8 inch cho nhà máy mới của Mitsubishi Electric. Cả hai bên cam kết mở rộng quy mô sản xuất các thiết bị SiC 8 inch.
Dự án sản xuất chip SiC của Xin Yueneng đẩy nhanh việc tăng công suất ở giai đoạn một
Gần đây, theo ông Shao Yonghua, Giám đốc Nhà máy Wafer của Core Guangdong Energy, toàn bộ nhà máy hiện đang mở rộng sản xuất và dự kiến đạt công suất sản xuất hàng năm theo kế hoạch là 240.000 chip SiC cấp ô tô kích thước 6 inch vào cuối năm nay. Dây chuyền sản xuất 8 inch dự phòng nằm ngay cạnh dây chuyền sản xuất 6 inch. Khi hoàn thành, nhà máy sẽ có khả năng sản xuất 240.000 chip SiC cấp ô tô kích thước 8 inch mỗi năm.
Theo tin tức trước đó, Dự án sản xuất chip Silicon Carbide (SiC) của Xinyue Energy là một dự án trọng điểm của "Dự án Cốt lõi" tại Quảng Đông, với tổng mức đầu tư 7,5 tỷ NDT, chiếm diện tích 150 mẫu Anh, vốn đầu tư giai đoạn một là 3,5 tỷ NDT và sản lượng hàng năm là 240.000 đơn vị. Giai đoạn hai sẽ xây dựng một dây chuyền sản xuất chip SiC 6 inch để tạo ra một dây chuyền sản xuất với sản lượng hàng năm là 240.000 chip SiC 8 inch. Các sản phẩm bao gồm IGBT, SiC SBD/JBS, SiC MOSFET và các thiết bị công suất khác, chủ yếu được sử dụng trong lĩnh vực xe năng lượng mới, quang điện, lưới điện thông minh, v.v.
Vào tháng 11 năm 2022, xưởng sạch của dự án đã chính thức đi vào hoạt động. Hiện tại, nhà máy đã đạt công suất sản xuất hàng tháng là 10.000 tấm. Các chip cấp ô tô và cấp công nghiệp đã thành công trong quá trình tape-out và mẫu đã được gửi đi, đồng thời chứng nhận quy định dành cho ô tô sắp được hoàn tất. Cho đến nay, Xinyueeng đã ký hợp đồng tape-out với hơn 40 khách hàng, bao phủ hầu hết các công ty thiết kế chip SiC trên cả nước.
Mersen đẩy mạnh dự án đế nền SiC
Vào ngày 12 tháng 3, Mersen, một nhà cung cấp vật liệu graphite và đế nền silicon carbide của châu Âu, thông báo rằng công ty đã nhận được khoản đầu tư từ chính phủ Pháp, số tiền này sẽ được sử dụng để mở rộng công suất sản xuất của dự án đế nền SiC. Khoản trợ cấp này có thể vượt quá 12 triệu euro (khoảng 94 triệu NDT), đến từ "Kế hoạch France 2023" - một dự án quan trọng về lợi ích chung của châu Âu trong lĩnh vực vi điện tử và công nghệ truyền thông.
Mersen cho biết họ dự kiến sử dụng nguồn vốn này để thúc đẩy nghiên cứu phát triển và giai đoạn sản xuất công nghiệp của các đế nền p-SiC. p-SiC là một đế nền SiC đa tinh thể có điện trở thấp, có thể kết hợp với các lớp hoạt tính SiC đơn tinh thể để giúp cải thiện tỷ lệ thành công và hiệu suất transistor cho các nhà sản xuất thiết bị SiC.
Mersen dự kiến đầu tư 85 triệu euro (khoảng 670 triệu NDT) từ năm 2023 đến năm 2025, tuyển dụng từ 80 đến 100 nhân viên, thúc đẩy xây dựng năng lực sản xuất tại nhà máy Gennevilliers ở Pháp, và đạt công suất sản xuất tiềm năng 400.000 tấm đế (kích thước 150mm) vào năm 2027.
Ngoài ra, Mersen sẽ cung cấp đế nền silicon carbide cho Soitec. Vào tháng 11 năm 2021, Mersen và Soitec đã đạt được partnership chiến lược. Với kinh nghiệm riêng biệt về đế nền và vật liệu, đế nền SiC đa tinh thể có điện trở cực thấp do hai bên cùng phát triển sẽ được sử dụng trong các linh kiện điện tử công suất được thiết kế bởi Soitec Smart SiC? technology.
Tái đăng từ: International Electronic Commerce, được dịch tự động bởi Google