Die globale Kapazität von Halbleiter wafern wird voraussicht lich 2024 um 6% steigen
Internationale Elektronik-Business-News 21. SEMI prognostiziert in seinem neuesten Bericht „World Fab Forecast“, dass die globale Halbleiterfertigungskapazität im Jahr 2024 um 6 % und im Jahr 2025 um 7 % steigen wird.
Der vierteljährliche Bericht zeigt, dass die globale Halbleiterfertigungskapazität voraussichtlich um 6 % im Jahr 2024 und um 7 % im Jahr 2025 zunimmt, um dem anhaltenden Wachstum der Chipnachfrage gerecht zu werden, und damit ein historisches Hoch von 33,7 Millionen Wafern pro Monat (wpm: 8-Zoll-Äquivalent, siehe unten) erreicht.
Im Jahr 2024 wird erwartet, dass die Kapazität für fortschrittlichste Technologien bei 5 nm und kleineren Knotenpunkten um 13 % wächst, hauptsächlich angetrieben durch generative künstliche Intelligenz (KI) für das Training und Reasoning in Rechenzentren sowie für hochmoderne Geräte. Um die Energieeffizienz der Verarbeitung zu verbessern, bereiten sich Chiphersteller wie Intel, Samsung und TSMC darauf vor, mit der Produktion von 2-nm-Chips mit All-Gate-Architektur (GAA) zu beginnen, was die gesamte fortschrittlichste Kapazität im Jahr 2025 um 17 % steigern wird.
„Von der Cloud bis zu Edge-Geräten treibt die Verbreitung der KI-Verarbeitung den Wettlauf um die Entwicklung leistungsstarker Chips voran und führt zu einer starken Expansion der Halbleiterfertigungskapazitäten weltweit“, sagte Ajit Manocha, Präsident und CEO von SEMI. „Dies schafft einen positiven Kreislauf: KI wird das Wachstum des Halbleiteranteils in verschiedenen Anwendungen antreiben, was wiederum weitere Investitionen fördern wird.“ "
Kapazitätserweiterung nach Land/Region
Die Kapazität der Chiphersteller auf dem chinesischen Festland wird voraussichtlich ein zweistelliges Wachstum beibehalten und nach einem Anstieg um 15 % auf 8,85 Millionen Einheiten im Jahr 2024 im Jahr 2025 um 14 % auf 10,1 Millionen Einheiten zunehmen, was knapp einem Drittel der gesamten Industriekapazität entspricht. Trotz potenzieller Risiken eines Überwachstums investiert die Region weiterhin aggressiv in die Kapazitätserweiterung, teilweise um die Auswirkungen der jüngsten Exportkontrollen abzumildern. Bedeutende Auftragsfertiger (Foundries) wie Huahong Group, Powerchip, Xi'an Integrated Circuit, SMIC und der DRAM-Hersteller CXMT investieren stark, um die Halbleiterfertigungskapazitäten in der Region zu erhöhen.
Das Kapazitätswachstum in den meisten anderen großen Halbleiterfertigungsregionen wird voraussichtlich bis 2025 maximal 5 % betragen. Taiwan wird voraussichtlich im Jahr 2025 5,8 Millionen wpm erreichen, was einem Wachstumsrate von 4 % entspricht und den zweiten Platz belegt; Südkorea wird voraussichtlich nächstes Jahr den dritten Platz einnehmen, wobei die Kapazität nach dem erstmaligen Durchbrechen der Marke von 5 Millionen wpm im Jahr 2024 um 7 % auf 5,4 Millionen wpm expandieren wird. Japan, die Halbleiterproduktionskapazitäten in China, Europa und dem Nahen Osten sowie Südostasien werden voraussichtlich um 4,7 Millionen wpm (3 % gegenüber dem Vorjahr), 3,2 Millionen wpm (5 % gegenüber dem Vorjahr), 2,7 Millionen wpm (4 % gegenüber dem Vorjahr) bzw. 1,8 Millionen wpm (4 % gegenüber dem Vorjahr) zunehmen.
Auftragsfertigung und HBM erleben eine Welle der Kapazitätserweiterung
Hauptsächlich angetrieben durch die Einführung des Foundry-Geschäfts durch Intel und die Kapazitätserweiterungen in China, wird die Kapazität im Foundry-Bereich voraussichtlich um 11 % im Jahr 2024 und um 10 % im Jahr 2025 zunehmen und im Jahr 2026 12,7 Millionen wpm erreichen.
Um der wachsenden Nachfrage nach schnelleren Prozessoren in KI-Servern gerecht zu werden, wurde High-Bandwidth Memory (HBM) schnell eingeführt, was zu einem beispiellosen Kapazitätswachstum im Speicherbereich geführt hat. Das explosive Wachstum der KI-Anwendungen hat das Wachstum der Nachfrage nach dichteren HBM-Stacks vorangetrieben. Als Reaktion darauf erhöhen führende DRAM-Hersteller ihre Investitionen in HBM/DRAM. Die DRAM-Kapazität wird voraussichtlich sowohl im Jahr 2024 als auch im Jahr 2025 um 9 % wachsen.
Im Gegensatz dazu bleibt die Erholung des 3D-NAND-Marktes langsam, wobei für das Jahr 2024 kein Kapazitätswachstum erwartet wird und für 2025 ein Wachstum von 5 % prognostiziert wird.
Der Aufstieg von KI-Anwendungen in Edge-Geräten wird voraussichtlich die DRAM-Kapazität von Mainstream-Smartphones von 8 GB auf 12 GB erhöhen, während Laptops, die KI-Assistenten nutzen, mindestens 16 GB DRAM benötigen werden. Die Ausweitung der KI auf Edge-Geräte wird ebenfalls die Nachfrage nach DRAM ankurbeln.
Nachdruck aus: International Electronic Commerce, automatisch übersetzt von Google