Công suất sản phẩm Wafer Fab bán dẫn toàn cầu dự kiến sẽ tăng 6% vào năm 2024
Tin tức Kinh doanh Điện tử Quốc tế 21 SEMI dự báo trong báo cáo "World Fab Forecast" mới nhất rằng công suất sản xuất chất bán dẫn toàn cầu dự kiến tăng 6% vào năm 2024 và 7% vào năm 2025
Báo cáo quý cho thấy để đáp ứng nhu cầu chip tiếp tục tăng trưởng, công suất sản xuất chất bán dẫn toàn cầu dự kiến sẽ tăng 6% vào năm 2024 và 7% vào năm 2025, đạt mức cao kỷ lục là 33,7 triệu wafer mỗi tháng (wpm: tương đương 8 inch, cùng ý nghĩa dưới đây).
Vào năm 2024, công suất tiên tiến ở các nút 5nm trở xuống dự kiến sẽ tăng 13%, chủ yếu được thúc đẩy bởi trí tuệ nhân tạo (AI) sinh tạo cho việc huấn luyện trung tâm dữ liệu, suy luận và các thiết bị tiên tiến. Để cải thiện hiệu quả năng lượng xử lý, các nhà sản xuất chip bao gồm Intel, Samsung và TSMC đang chuẩn bị bắt đầu sản xuất các chip GAA (Gate-All-Around) 2nm, điều này sẽ làm tăng tổng công suất tiên tiến lên 17% vào năm 2025.
"Từ đám mây đến các thiết bị biên, sự phổ biến của xử lý AI đang thúc đẩy cuộc đua phát triển các chip hiệu suất cao và thúc đẩy sự mở rộng mạnh mẽ của công suất sản xuất chất bán dẫn trên toàn thế giới," ông Ajit Manocha, Chủ tịch và CEO của SEMI, nói. "Điều này tạo ra một vòng lặp tích cực: AI sẽ thúc đẩy tăng trưởng nội dung chất bán dẫn trong nhiều ứng dụng khác nhau, từ đó khuyến khích đầu tư thêm." "
Mở rộng công suất theo quốc gia/vùng lãnh thổ
Công suất của các nhà sản xuất chip tại Trung Quốc đại lục dự kiến duy trì mức tăng trưởng hai con số, tăng 14% lên 10,1 triệu đơn vị vào năm 2025 sau khi tăng 15% lên 8,85 triệu đơn vị vào năm 2024, chiếm gần một phần ba tổng công suất của ngành. Mặc dù có nguy cơ quá tải tiềm ẩn, khu vực này vẫn tiếp tục đầu tư mạnh mẽ để mở rộng công suất, một phần nhằm giảm thiểu tác động của các lệnh kiểm soát xuất khẩu gần đây. Các nhà cung cấp foundry chính bao gồm Huahong Group, Powerchip, Xi'an Integrated Circuit, SMIC và nhà sản xuất DRAM CXMT đang đầu tư mạnh để tăng cường khả năng sản xuất chất bán dẫn trong khu vực.
Tăng trưởng công suất ở hầu hết các vùng sản xuất chip lớn khác dự kiến không vượt quá 5% vào năm 2025. Đài Loan dự kiến đạt 5,8 triệu wpm vào năm 2025, với tốc độ tăng trưởng 4%, xếp thứ hai; trong khi Hàn Quốc dự kiến xếp thứ ba vào năm tới, với công suất mở rộng 7% lên 5,4 triệu wpm sau khi phá vỡ mốc 5 triệu wpm lần đầu tiên vào năm 2024. Nhật Bản, Mỹ, sản xuất chất bán dẫn tại Trung Quốc, châu Âu và Trung Đông, và Đông Nam Á dự kiến tăng lên 4,7 triệu wpm (tăng 3% so với cùng kỳ), 3,2 triệu wpm (tăng 5% so với cùng kỳ), 2,7 triệu wpm (tăng 4% so với cùng kỳ), và 1,8 triệu wpm (tăng 4% so với cùng kỳ), tương ứng.
Foundry và HBM bước vào làn sóng mở rộng công suất
Được thúc đẩy chủ yếu bởi việc Intel thành lập kinh doanh foundry và sự mở rộng công suất của Trung Quốc, công suất trong lĩnh vực foundry dự kiến sẽ tăng 11% và 10% vào năm 2024 và 2025, đạt 12,7 triệu wpm vào năm 2026.
Để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về bộ xử lý nhanh hơn trong máy chủ trí tuệ nhân tạo, bộ nhớ băng thông cao (HBM) đã được áp dụng nhanh chóng, điều này đã thúc đẩy tăng trưởng công suất chưa từng có trong lĩnh vực bộ nhớ. Sự bùng nổ của các ứng dụng trí tuệ nhân tạo đã thúc đẩy tăng trưởng nhu cầu đối với các chồng HBM dày đặc hơn. Đáp lại, các nhà sản xuất DRAM hàng đầu đang tăng cường đầu tư vào HBM/DRAM. Công suất DRAM dự kiến sẽ tăng 9% cả vào năm 2024 và 2025.
Ngược lại, thị trường NAND 3D phục hồi chậm, không có tăng trưởng công suất nào được dự kiến vào năm 2024 và mức tăng trưởng 5% được dự báo cho năm 2025.
Sự trỗi dậy của các ứng dụng AI trên thiết bị biên dự kiến sẽ tăng công suất DRAM của điện thoại thông minh phổ thông từ 8GB lên 12GB, trong khi máy tính xách tay sử dụng trợ lý AI sẽ yêu cầu ít nhất 16GB DRAM. Việc mở rộng AI sang các thiết bị biên cũng sẽ kích thích nhu cầu đối với DRAM.
Được đăng lại từ: Thương mại Điện tử Quốc tế, tự động dịch bởi Google